對于所有的金屬來(lái)說(shuō)純度是靶材的主要性能指標之一，為什么這么說(shuō)呢?靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個(gè)產(chǎn)品對靶材的純度要求也有不相同的地方。例如，微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線(xiàn)寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，在以前的技術(shù)要求上對于靶材純度是99.995%的靶材是完全可以滿(mǎn)足0.35umIC的工藝要求，但是現在而制備0.18um線(xiàn)條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

純度說(shuō)了,再說(shuō)說(shuō)靶材的雜質(zhì)含量.什么是靶材的雜質(zhì)含量?在經(jīng)過(guò)一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為所處的用處不一樣所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
靶材的密度
　　密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因為靶材主要特性密度對濺射速率有著(zhù)很大的影響，并且影響著(zhù)薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。

然后來(lái)說(shuō)一說(shuō)晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。